TH521-35-600C半導(dǎo)體參數(shù)分析儀簡(jiǎn)介：
TH521-35-600C半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款用于電路設(shè)計(jì)的綜合解決方案，可幫助電力電子電路設(shè)計(jì)人員選擇適合自身應(yīng)用的功率器件，讓其電力電子產(chǎn)品發(fā)揮*大價(jià)值。它可以評(píng)測(cè)器件在不同工作條件下的所有相關(guān)參數(shù)，包括IV參數(shù)（擊穿電壓和導(dǎo)通電阻）、三端FET電容、柵極電荷和功率損耗。用于電路設(shè)計(jì)的TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。
TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特性：
TH521 的常規(guī)特性
? 高達(dá) 3.5kV/1800A的寬廣工作范圍
? 從 -50 °C 到 +250 °C 的全自動(dòng)快速熱測(cè)試
? 自動(dòng)創(chuàng)建功率器件（半導(dǎo)體和元器件）的技術(shù)資料
? 自動(dòng)記錄功能可防止數(shù)據(jù)丟失
? AI輔助編寫python測(cè)試腳本
TH521 IV 套件特性
? 可對(duì)封裝和晶圓上器件進(jìn)行全自動(dòng)快速 IV 測(cè)量 （Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）
? 窄 IV 脈沖寬度（*窄 10 μs）可防止器件自發(fā)熱，更準(zhǔn)確地測(cè)試器件實(shí) 際性能
? 示波器視圖（時(shí)域視圖）可以監(jiān)測(cè)實(shí)際電壓/電流脈沖波形，以便進(jìn)行準(zhǔn) 確測(cè)量
? 配置可以靈活擴(kuò)展，添加 CV 和 Qg，將電流范圍從20 A擴(kuò)展到 200A、 600 A 或1800 A
TH521 套件的完整特性
? IV 套件的全部特性
? 測(cè)量封裝器件在 3.5 kV 時(shí)的晶體管輸入、輸出和反向傳輸電容
（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及柵極電阻（Rg）
? 測(cè)量封裝器件的柵極電荷（Qg）曲線
? 計(jì)算功率損耗（傳導(dǎo)、驅(qū)動(dòng)和開關(guān)損耗）
TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀技術(shù)參數(shù)：
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MCSMU
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電壓范圍、分辨率和精度
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電壓量程
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輸出/測(cè)量分辨率
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輸出/測(cè)量精度（% + mV + mV）
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*大電流
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200mV
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100nV
|
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)
|
1A
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2V
|
1μV
|
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)
|
1A
|
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20V
|
10μV
|
±(0.06 + 3 + Io x 5)
|
1A
|
|
40V
|
40μV
|
±(0.06 + 3 + Io x 10)
|
1A
|
|
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電流范圍、分辨率和精度
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度（%+A+A）
|
*高電壓
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10μA
|
10pA
|
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)
|
30V
|
|
100μA
|
100pA
|
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)
|
30V
|
|
1mA
|
1nA
|
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)
|
30V
|
|
10mA
|
10nA
|
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)
|
30V
|
|
100mA
|
100nA
|
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)
|
30V
|
|
1A
|
1uA
|
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)
|
30V
|
|
典型分辨率
|
6?位
|
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*大電壓
|
±30V
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*小電流
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10pA
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脈沖*大占空比
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5%（峰值超過(guò)100mA時(shí)）
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脈沖*小寬度
|
10μs
|
|
脈沖*大寬度
|
100ms（峰值超過(guò)100mA時(shí)）
|
|
直流*大電流
|
±100mA
|
|
脈沖*大峰值
|
±1A
|
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脈沖*大基值
|
±50mA（峰值超過(guò)100mA時(shí)）
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HCSMU
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電壓范圍、分辨率和精度
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電壓量程
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度（% + mV + mV）
|
*大電流
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|
200mV
|
100nV
|
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)
|
20A
|
|
2V
|
1μV
|
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)
|
20A
|
|
20V
|
10μV
|
±(0.06 + 3 + Io x 5)
|
20A
|
|
40V
|
40μV
|
±(0.06 + 3 + Io x 10)
|
1A
|
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|
電流范圍、分辨率和精度
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度（%+A+A）
|
*高電壓
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10μA
|
10pA
|
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)
|
40V
|
|
100μA
|
100pA
|
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)
|
40V
|
|
1mA
|
1nA
|
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)
|
40V
|
|
10mA
|
10nA
|
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)
|
40V
|
|
100mA
|
100nA
|
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)
|
40V
|
|
1A
|
1μA
|
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)
|
40V
|
|
20A
|
20μA
|
±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)
|
20V
|
|
典型分辨率
|
6?位
|
|
*大電壓
|
±40V
|
|
*小電流
|
10pA
|
|
脈沖*大占空比
|
1%（峰值超過(guò)1A時(shí)）
|
|
脈沖*小寬度
|
50μs
|
|
脈沖*大寬度
|
1ms（峰值超過(guò)1A時(shí)）
|
|
直流*大電流
|
±100mA
|
|
脈沖*大峰值
|
±20A
|
|
脈沖*大基值
|
±100mA（峰值超過(guò)1A時(shí)）
|
|
|
|
|
|
|
MPSMU
|
|
電壓范圍、分辨率和精度
|
|
電壓量程
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度（% + mV + mV）
|
*大電流
|
|
100mV
|
100nV
|
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)
|
100mA
|
|
1V
|
1μV
|
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)
|
100mA
|
|
10V
|
10μV
|
±(0.06 + 3 + Io x 5)
|
100mA
|
|
100V
|
100μV
|
±(0.012 + 2.5 + Io x 10)
|
20mA(≥40V)
50mA(≤40V)
|
|
電流范圍、分辨率和精度
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度（%+A+A）
|
*高電壓
|
|
1nA
|
1fA
|
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)
|
100V
|
|
10nA
|
10fA
|
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)
|
100V
|
|
100nA
|
100fA
|
±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)
|
100V
|
|
1μA
|
1pA
|
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)
|
100V
|
|
10μA
|
10pA
|
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)
|
100V
|
|
100μA
|
100pA
|
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)
|
100V
|
|
1mA
|
1nA
|
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)
|
100V
|
|
10mA
|
10nA
|
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)
|
100V
|
|
100mA
|
100nA
|
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)
|
20V
|
|
典型分辨率
|
6?位
|
|
*大電壓
|
±100V
|
|
*小電流
|
1fA
|
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|
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HVSMU
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|
電壓范圍、分辨率和精度
|
|
電壓量程
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度±(%+mV)
|
*大電流
|
|
200V
|
200uV
|
±(0.03+40)
|
10mA
|
|
500V
|
500uV
|
±(0.03+100)
|
10mA
|
|
1500V
|
1.5mV
|
±(0.03+300)
|
10mA
|
|
3500V
|
3.5mV
|
±(0.03+600)
|
5mA
|
|
電流范圍、分辨率和精度
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度（%+A+A）
|
*高電壓
|
|
10nA
|
10fA
|
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)
|
3500V
|
|
1μA
|
1pA
|
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)
|
3500V
|
|
100μA
|
100pA
|
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)
|
3500V
|
|
10mA
|
10nA
|
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)
|
1750V
|
|
典型分辨率
|
6?位
|
|
*大電壓
|
±3500V
|
|
*小電流
|
10fA
|
|
|
|
|
|
|
UHCU
|
|
電壓范圍、分辨率和精度
|
|
電壓量程
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度±(%+mV)
|
|
60V
|
100μV
|
±(0.2+10)
|
|
電流范圍、分辨率和精度
|
輸出/測(cè)量分辨率
|
輸出/測(cè)量精度（%+A+A）
|
|
200A
|
200μA
|
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
|
|
600A
|
500μA
|
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
|
|
1800A
|
2mA
|
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
|
|
脈沖*大占空比
|
0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
|
|
脈沖*小寬度
|
10μs
|
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脈沖*大寬度
|
1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
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脈沖*大峰值
|
200A、600A、1800A量程
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MFCMU
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頻率
|
頻率范圍
|
1kHz~10MHz
|
|
*小頻率分辨率
|
1mHz
|
|
頻率精度
|
±0.05%
|
|
AC電平
|
電平范圍
|
0~250mV
|
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分辨率
|
0.1mVrms
|
|
精度
|
±(10%*設(shè)定值+2mV)
|
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DC偏置
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范圍
|
0~±25V
|
|
分辨率
|
1mV
|
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準(zhǔn)確度
|
1%*設(shè)定電壓+8mV
|
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輸出阻抗
|
100Ω
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測(cè)試端配置
|
四端對(duì)
|
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測(cè)試時(shí)間
|
快速2.5ms中速90ms慢速220ms
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電容
|
顯示范圍
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0.00001pF~9.99999F
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*高準(zhǔn)確度
|
0.05%
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TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀選型表：
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TH521-35-20
|
IV: 3500V/20A
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TH521-35-20C
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IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
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TH521-35-200
|
IV: 3500V/200A
|
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TH521-35-200C
|
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
|
|
TH521-35-600
|
IV: 3500V/600A
|
|
TH521-35-600C
|
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
|
|
TH521-35-1800
|
IV: 3500V/1800A
|
|
TH521-35-1800C
|
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg
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TH521-35-600C半導(dǎo)體參數(shù)分析儀應(yīng)用：
? 半導(dǎo)體功率器件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析
? 半導(dǎo)體材料
晶圓切割、C-V特性分析
? 液晶材料
彈性常數(shù)分析、液晶切割
? 電容元件
電容器C-V特性測(cè)試及分析，電容式傳感器測(cè)試分析
